Детали
Тип памяти | DDR3 |
---|---|
Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тактовая частота | 1600 МГц |
Пропускная способность | 12800 МБ/с |
Объем | 1 модуль 4 ГБ |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
CAS Latency (CL) | 9 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 9 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 27 |
Напряжение питания | 1.5 В |