Описание
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
SODIMM 260-контактный
Тактовая частота
2666 МГц
Пропускная способность
3200 МБ/с
Объем
1 модуль 8 ГБ
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Тайминги
CAS Latency (CL)
19
Дополнительно
Напряжение питания
1.2 В