Описание
- Поддержка ECCнет
- Поддержка XMPнет
- Буферизованная (Registered)нет
- Количество ранков1
- Радиаторнет
- Форм-факторSODIMM
- Низкопрофильная (Low Profile)нет
- Тип памятиDDR4
- Напряжение питания1.2 В
- Пропускная способность25600 МБ/сек
- Тактовая частота3200 МГц
- Количество чипов каждого модуля8, двусторонняя упаковка
- Объем16 ГБ
- CAS Latency (CL)22
- RAS to CAS Delay (tRCD)22
- Row Precharge Delay (tRP)22